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十四五设计提名第三代半导体,碳化硅、氮化镓站优势口
2022-03-16
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克日,天下两会落下帷幕,第三代半导体成为了两会的要害词之一。
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3月12日,新华社宣布《中华人民共和国国民经济和社会生长第十四个五年设计和2035年远景目的纲要》。纲要中集成电路领域称要取得碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体的生长。
两会时代,天下政协委员王文银在采访中称,随同着第三代半导体行业的触角向5G基站、特高压、城际高铁交通、新能源充电桩等要害领域延伸,我国半导体行业生长风口已至。
第三代半导体是国家2030设计和“十四五”国家研发设计确定的主要生长偏向,被视作我国半导体产业弯道超车的时机。要接纳武断措施,推动我国第三代半导体产业落地。
对于第三代半导体领域,各国的研究和水平差距不大,而海内多数专家也对我国第三代半导体的生长持起劲态度,第三代半导体质料或允许以成为我们脱节集成电路被动事态,实现芯片手艺追赶和超车的良机。
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