国星光电介入两项碳化硅整体尺度起草及讨论会？教室灯舞蹈

成都馨巢灯具批发总结“国星光电介入两项碳化硅整体尺度起草及讨论会？教室灯舞蹈”的问答，工程照明找馨巢。国星光电介入两项碳化硅整体尺度起草及讨论会？教室灯舞蹈的内容如下：

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国星光电介入两项碳化硅整体尺度起草及讨论会

2022-06-21    

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　　克日，国星光电受第三代半导体同盟标委会(CASAS)约请介入了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方式》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方式》两项整体尺度的起草与草案讨论(线上)，助力加速第三代半导体国产化替换历程。

　　《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方式》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方式》两项整体尺度提案由工业和信息化部电子第五研究所牵头，经CASA尺度化委员会(CASAS)治理委员会审核，两项提案均立项通过[1]。

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　　《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方式》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方式》尺度草案线上讨论会于5月26日、6月10日先后召开，国星光电研究院代表加入了尺度的线上讨论并对尺度修订提出了主要建议与意见。两次线上钻研会共计有三十多人(次)来自产学研差异领域的专家代表介入。

　　SiC(碳化硅)质料对比传统的Si(硅)质料，具备电性能和热性能优越、杂散电感低、转换效率高、轻载消耗小等特点，在产物设计时可以适配更大的功率密度，更小的产物体型。然SiC的质料性能与Si的质料性能相差甚大，传统Si的热阻及可靠性测试方式并不都适合SiC质料的器件产物。SiC器件的热阻测试与功率循环测试评估，对SiC MOSFET器件的可靠性与剖析改善具备异常主要的意义。

　　近期，国星光电的TO系列产物已送至第三方有资质的机构，完成了相关工业级可靠性测试，SiC产物线进一步扩展，现在SiC-TO产物已开发完成5种封装大类的开发(TO-247/TO-220/TO-252/TO-263/DFN5*6)，建设6个系列化产物线：SiC-SBD 650V 2-50A系列、SiC-SBD 1200V 2-60A系列、 SiC-MOS 1200V 18-160mΩ系列、SiC-SBD 1700V 5-30A系列、SiC-SBD 3300V 1-5A系列、内绝缘型SiC-SBD/MOS 系列。

　　以SiC为代表的第三代半导体质料的开发与应用已写入“十四五计划”，国家在三代半领域事业正如火如荼地推进着。随着航天、航空、石油勘探、核能、汽车等电力电子领域的生长，尤其是新能源汽车的快速生长，在国产替换呼声高涨及政策的推动下，我国半导体市场延续不停地升温。国星光电也在鼎力结构“三代半封测”营业，努力延续加大第三代半导体的研究开发和手艺功效转化，望在国产替换的伟大宏图上孝顺国星气力，为广晟团体奋进天下500强注入强劲动能。

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