新洁能制定增募资不跨越14.5亿元用于第三代半导体功率器件及封测等项目？教室吊灯

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新洁能制定增募资不跨越14.5亿元用于第三代半导体功率器件及封测等项目

2022-11-14    

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　　11月11日晚间，新洁能公布通告，制定增募资不跨越14.5亿元，用于第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化、功率驱动IC及智能功率模块(IPM)的研发及产业化、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化、弥补流动资金。

　　据其在通告中示意，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为继第一代Ge、Si半导体质料、第二代GaAs、InP化合物半导体质料之后的第三代半导体典型质料，其研究与应用是现在半导体研究的前沿和热门，是行业未来生长的主流趋势。

　　第三代半导体SiC/GaN具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁徙率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点，具有壮大的功率处置能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可知足现代电子手艺对高温高频、高功率、高辐射等恶劣环境条件的要求。

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　　在部门高端下游应用领域，宽禁带半导体功率器件具备不能替换的优势，切合节能环保、智能制造、信息平安等国家重大战略需求，已成为支持新一代移动通讯、新能源汽车、高速列车、航海航空等产业自主创新生长和转型升级的重点焦点电子元器件。

　　其强调，通过本募投项目的实行，有助于公司顺应半导体功率器件行业生长趋势，提前结构SiC/GaN宽禁带半导体功率器件产物，实现公司产物结构升级，从而进一步强化公司在半导体功率器件高端应用市场的焦点竞争力。

　　此外，公司宽禁带半导体功率器件的性能已获得海内外的公认，相关的衬底生产工艺、外延工艺、器件制备工艺等也逐步成熟。半导体功率器件部门下游行业需求逐渐由硅基向SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件转变，尤其以新能源汽车、充电桩、光伏逆变、5G通讯、激光电源、服务器和消费电子快充等高端新兴行业成为SiC/GaN产物规模扩张的主要动力。

　　该公司以为，当下是进入SiC/GaN等半导体功率器件市场领域的时机期。《2022“新基建”风口下第三代半导体应用生长与投资价值白皮书》指出，2022年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元，预计2022-2022年将保持85%以上平均增进速率，到2022年市场规模将到达623.42亿元。

　　而公司作为海内半导体功率器件十强企业之一，需掌握全球宽禁带半导体功率器件的生长契机，捉住时机窗口，实现在宽禁带半导体领域的手艺突破。通过本募投项目的实行将有助于公司加速SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件的研发及产业化进度，抢占宽禁带半导体功率器件的手艺高地，从而牢固公司在海内的领先职位。

　　据悉，差异于“硅基”半导体质料及半导体产业与国际先进水平存在较大差距，我国在宽禁带半导体手艺领域的研究事情与国际前沿水平差异相对较小，且虽然现有手艺与国际先进水平仍存在差距，但随着全球半导体产业逐步向亚洲转移，海内产业实力不停提升，同时依托5G通讯、新能源汽车、物联网、智能装备制造、光伏发电等新兴产业带来的广漠市场空间、以及上下游产业链的协同，我国已经劈头具备生长宽禁带半导体产业的能力。

　　该公司还示意，通过本募投项目的实行，有助于公司加大研发投入，充实借助现在在硅基半导体功率器件方面的手艺基础，实现公司产物和手艺向宽禁带半导体领域的过渡，缩小与国际半导体功率器件一流企业的手艺差距，从而提高国际竞争力。

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