磁吸轨道灯工作原理？A*STAR微电子研究所和Soitec开展研究互助，配合开发下一代碳化硅半导体

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中巨芯递交科创板首发申请获受理

A*STAR微电子研究所和Soitec开展研究互助，配合开发下一代碳化硅半导体

2022-01-12    

源杰半导体递交科创板首发申请获受理

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　　1月10日，新加坡科学、手艺和研究机构(A*STAR)的微电子研究所(IME)和法国半导体质料公司Soitec宣布开展研究互助，开发下一代碳化硅(SiC)半导体器件，为电动汽车和先进高压电子装备提供动力。双方将行使Soitec的专有手艺，如Smart Cut?和IME的试验生产线来制造直径为200 mm的SiC半导体基板。