芯元基半导体全屏点亮5μm Micro LED芯片阵列？学生教室灯光要求

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芯元基半导体全屏点亮5μm Micro led芯片阵列

2022-01-18    

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　　克日，上海芯元基半导体科技有限公司(以下简称：芯元基半导体)宣布在Micro LED芯片研发上又取得重大希望，全屏点亮了适合微显示的5μm Micro LED 芯片阵列，乐成研发出16*27微米直显用薄膜倒装Micro LED芯片，突破了微显示用Micro LED芯片制备的要害手艺。

　　据芯元基半导体先容，此次Micro LED 芯片阵列尚未键合到CMOS基板上，只是将所有阵列的8万多颗芯片以并联形式供电，开启电压为2.9V，在没有任何电压抵偿的情形下，每个芯片在相同电压的情形下亮度平均性已到达人眼旁观无色差感的水平。

　　在此之前，芯元基半导体刚于本月初宣布通过其自力知识产权的DPSS衬底手艺、侧向外延生长手艺和化学剥离蓝宝石衬底手艺乐成开发出了10-50μm的GaN基薄膜倒装Micro LED芯片。

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　　据领会，芯元基的侧向外延生长手艺可以把GaN外延层中的位错密度降到10^7cm² (10的7次方每平方厘米)，而且还可以控制位错的位置，将Micro LED阵列放置到没有位错的位置，解决困扰行业的不均性问题。

　　同时，芯元基独创化学剥离蓝宝石衬底手艺，与行业现有的激光剥离蓝宝石衬底手艺相比，该手艺能够实现100%的剥离良率，而且对GaN，稀奇是InGaN量子阱无损伤，在规模化量产后具备较显著的成本优势。此外，化学剥离蓝宝石衬底手艺还与现有的半导体晶圆加工手艺有异常好的兼容性，可以行使现有的半导体晶圆暂且键合手艺实现晶圆级巨量转移。

　　在Micro LED芯片结构上，芯元基半导体行使沟槽结构取代了通例的台面结构，实现了P电极和N电极的等高，解决了驱动背板上的焊点和芯片电极高度不匹配的问题。据芯元基先容，其芯片工艺保证了芯片只有一个具有纳米粗化结构的出光面，芯片的周围及其底部具有响应的反射结构，解决了显示光串扰问题的同时，进一步提高显示亮度。

　　据透露，芯元基半导体的Micro LED芯片可应用于车载显示、AR/VR等显示领域，现在，产物已给面板厂家送样，并拿到了研发用订单。

　　资料显示，上海芯元基半导体科技有限公司确立于2022年，是基于第三代半导体GaN(氮化镓)质料为主研发、设计、生产芯片的创新型公司。公司拥有全球首创的以复合图形化衬底和化学剥离为焦点的手艺系统，并拥有完整自主知识产权。现在已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等逾亿元投资。

　　另值得注重的是，生产方面，2022年11月，芯元基第三代半导体氮化镓项目正式签约落户安徽池州高新区，开展第三代半导体GaN(氮化镓)基质料及器件产业园项目建设。该项目分为两个阶段，第一阶段主要建设第三代半导体GaN(氮化镓)基UVA及DPSS项目，总投资6亿元。第二阶段主要建设GaN(氮化镓)基电子功率器件项目及Micro LED项目。现在，项目第一阶段正在建设中，预计今年年中实现投产。

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