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台亚起劲结构第三代半导体,氮化镓产物预计今年送样
2022-06-24
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台亚昨(23)日召开股东会,新任总司理衣冠君会后受访时示意,现在起劲转型往半导体产业生长,扩大招募半导体专业司理人及研发职员加入团队,目的在抢攻次世代感测元件于工业应用、电动车电源、感测芯片等利基市场。
除了次世代感测元件,台亚2022年最先筹建积亚半导体(Pro-Asia Semiconductor Corporation)专注开发以碳化硅(SiC)衬底的高功率元件。今年更进一步设计下半年扩大台亚现有厂房清洁室区域,投入氮化镓(GaN)磊晶及元件的研发及生产,预计于2023年条件供样品供互助客户举行验证。
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台亚新任总司理衣冠君示意,台亚已往在磊晶及星散器件制造手艺上已有相当深挚的基础,将扩大增强与上游IC设计公司及下游封测及产物的互助,将可于短时间内制作出高电子迁徙率晶体管(Power HEMT)样品,提供应客户举行验证。
台亚将以氮化镓为基础的第三代半导体的功率器件作为主要产物,其相对于硅基的元件可以耐更高的电压,比起碳化硅的元件能有有更低的功耗,未来将连系氮化镓与碳化硅,生长出高频高效的射频器件及模块。
台亚新总司理衣冠君曾任半导体装备大厂科林研发资深总监、德州仪器、茂德、茂硅等半导体公司,拥有跨越20年厚实半导体制造厂治理履历。台亚半导体公司自2022年由光磊科技更名以后,连续推动产物由光电朝向硅电多元化生长。
而为应对市场需求发展,台亚于今年将投入8亿元新台币扩产高阶产物,包罗高性能光耦元件、长波长VCSEL/led、与长波长PD等,新产能自今年上半年最先拉升。
而在23日股东会会后衣冠君总司理受访时更进一步揭破,台亚在于第三代半导体的时程设计与目的,未来将连续采稳健的投资以支持第三代半导体研发及应用,争取在全球众多竞争者中脱颖而出。
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