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上海镓特半导体全球发售4英寸自支持氮化镓衬底
2022-10-25
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镓特半导体科技(上海)有限公司(简称“镓特”)全球发售4英寸自支持氮化镓衬底。镓特使用自主研发的HVPE装备生长自支持GaN(氮化镓)衬底,攻克了GaN高质量生长工艺、高良率剥离工艺、低成本研磨抛光工艺等要害手艺,完成了中试开发,具备了量产4英寸自支持GaN衬底的能力。
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该公司从装备到晶体生长工艺全流程均具有自主知识产权,其中HVPE装备已经更新至第6代机型,现在已经申请专利45项,并获得高新手艺企业认证。
据悉,镓特自支持GaN衬底XRD摇晃曲线(002)和(102)半峰宽(FWHMs)均在50-60 aresec之间,位错密度低至1E6 /cm2,中央点offcut偏向m面0.35°,并可凭证客户需求举行调整,晶格曲率半径大于10米。研磨抛光后的GaN衬底外面粗拙度在0.3nm以下,其他外面指标到达epi ready的尺度。GaN衬底综合手艺指标已经到达天下先进水平。
基于镓特的研发功效,确立了镓特半导体科技(铜陵)有限公司,设计年产36000片4英寸自支持GaN衬底,产业规模居天下第一。在价钱上,镓特4英寸自支持GaN衬底价钱与同尺寸SiC衬底相当,以推动GaN-on-GaN手艺的大规模应用。
此外,镓特4英寸”epi-ready”自支持氮化镓衬底主要应用于超高亮度发光二极管(LED)芯片,激光二极管(LD)芯片, 发射基站级高能量密度高频(RF)芯片,千伏特级电力(power)芯片,等等。
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