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国星光电:国星半导体已申请200多篇氮化镓专利
2022-02-25
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克日,国星光电在深交所互动易平台上回覆了投资者的问题时示意,硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”及公司介入申报的“彩色Micro-LED显示与超高亮度微显示手艺研究”项目皆已获批广东省重点领域研发设计项目,按设计正常实行中。
同时,国星光电示意,国星半导体主要营业包罗蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为基材的LED芯片。氮化镓基产物包罗蓝绿显屏芯片,数码用芯片,白光照明芯片,车灯用大功率倒装芯片,UVA紫光芯片等。
据透露,国星光电美国子公司RaySent科技公司将相关硅衬底GaN外延及垂直结构LED芯片的主要手艺遵照约定已转移给子公司国星半导体,由国星半导体在应用场景继续举行上述手艺的后续研发和产业化推进。Raysent已在美国申请数项专利,国星半导体现在已申请氮化镓的专利200多篇,其中硅基氮化镓手艺专利4篇。
国星光电示意,公司正起劲举行第三代半导体相关的手艺贮备,后续应用需视市场需求与手艺连系情形而定。
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