工程专用led灯？全方位拓展碳化硅产物组合，英飞凌新增650V产物系列

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全方位拓展碳化硅产物组合，英飞凌新增650V产物系列

2022-02-28    

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　　英飞凌科技(Infineon)连续扩展其全方位的碳化硅(SiC)产物组合，新增650V产物系列。英飞凌新揭晓的CoolSiC MOSFET能知足普遍应用对于能源效率、功率密度和耐用度不停提升的需求，包罗：服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源储存和化成电池、UPS、马达驱动以及电动车充电等。

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　　英飞凌电源治理与多元电子事业处高压转换部门资深协理Steffen Metzger示意，推出这项产物后，英飞凌在600V/650V电源领域完整了硅、碳化硅和氮化镓(GaN)型功率半导体产物组合。这也凸显了我们在业界的独专程位，是唯逐一家推出涵盖这三种电源手艺多样化产物的制造商。此外，最新的CoolSiC系列也展现了我们目的成为工业用SiC MOSFET开关供应商龙头的刻意。

　　CoolSiC MOSFET 650V导通电阻介于27m?至107m?，接纳常见的TO-247之3脚和TO-247之4脚封装，有助于进一步降低切换消耗。犹如先前推出的所有CoolSiC MOSFET产物，新的650V系列亦接纳英飞凌先进的沟槽式(trench)半导体手艺，使SiC壮大的物理特征能获得最大的施展，确保装置到达最优异的可靠度、同级最佳的切换消耗和导通消耗。同时，这些装置具备最高的跨导品级(增益)、4V临界电压(Vth)和短路耐用度。沟槽式手艺能使应用到达最低的消耗，和最高的运作可靠度，同时兼顾全方位效能。

　　相较于市场上其他的硅和碳化硅解决方案，650V CoolSiC MOSFET提供许多极具吸引力的优势，例如：在更高频率下的切换效率以及精彩的可靠度。这些装置具有异常低的导通电阻与温度的相依性，散热特征极其精彩。装置接纳稳固可靠的本体二极管，拥有异常低的逆回复电荷(Qrr)，较效能最好的超接面CoolMOS MOSFET降低了约80%。装置在整流方面的耐用度，有助于轻松到达98%的整系一切效率，例如：搭配延续传导模式的图腾柱电路功率因子校正(PFC)。

　　为了简化CoolSiC MOSFET 650V的应用设计，确保装置实现高效能运作，英飞凌亦推出专用的单通道和双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动IC。此解决方案连系了CoolSiC开关和专用的闸极驱动IC，有助于降低系统成本和整体拥有成本，且能提高能源效率。CoolSiC MOSFET也能与英飞凌EiceDRIVER闸极驱动器系列的其他IC无缝配合运作。

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