工程充电灯？三安光电长沙第三代半导体项目厂区“心脏”封顶

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三安光电长沙第三代半导体项目厂区“心脏”封顶

2022-10-14    

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　　10月7日，据长沙晚报报道，总投资160亿元的长沙三安第三代半导体项目国庆长假时代未歇工，其中为主厂房提供动力的主要辅助修建——C2综合动力站日前已率先完成封顶。同时，项目最大单体修建M2B碳化硅芯片生产厂房周全进入主体施工收尾阶段。

　　中建五局三公司三安项目认真人周祥先容，C2综合动力站修建面积约1万平方米，是厂区的“心脏”，主要包罗热水系统、冷却水系统、压缩空气系统、发电系统等。“除了动力站封顶，项目最大单体修建M2B碳化硅芯片生产厂房周全进入主体施工收尾阶段。”周祥说，项目部克日顺遂完成了M2B碳化硅芯片生产厂房华夫板浇筑，这也是厂房最难的施工部门。据悉，M2B碳化硅芯片厂房是该项目一标段30个单体中修建面积最大、清洁品级要求最高的厂房。

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　　今年6月16日晚间，三安光电宣布通告称，设计以现金投资160亿元，在湖南省长沙高新手艺产业开发区治理委员会园区确立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。

　　据通告先容，该项目包罗但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包罗长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额160亿元。

　　6月15日，三安光电已与长沙高新手艺产业开发区治理委员会签署《项目投资建设条约》。凭证设计，三安光电将在用地各项手续和相关条件完好后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和牢靠资产投资并实现投产，72个月内实现达产。

　　对于详细开发建设的产物，三安光电方面示意，主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等。对于此次投资，三安光电方面以为：“第三代半导体产业园项目有着广漠的市场需求，现处于生长阶段。本次投资项目相符国家产业政策设计，相符公司产业生长偏向和生长战略，有利于提升公司行业职位及焦点竞争力。”

　　7月20日，长沙三安第三代半导体项目正式开工。据长沙高新手艺产业开发区治理委员先容称，长沙三安第三代半导体项目，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并动员上下游配套产业产值预计逾千亿元。

　　当前，第三代半导体质料及器件已成为全球半导体质料产业的前沿和制高点之一。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体成熟商用质料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域具有主要的应用价值。

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